Victor_VG
Tracker Mod | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору insorg У любой флеш памяти первопричина повышенной скорости износа накопителя кроется в блочном принципе его работы при котором для изменения любого бита в буфер контроллера читается блок целиком, нужный бит модифицируется в буфере, а после весь блок стирается и пишется заново с учётом модификации. При чтении процесс похож, за исключением стирания-записи - содержащий нужное место блок целиком читается в буфер контроллера, там из него выбираются нужные байты, а выборка передаётся на выход устройства, если необходимо, то циклы чтения-выборки повторяются до тех пор пока счётчик числа запрошенных данных не обнулится что обрабатывается контроллером как "ЗАПРОС ВЫПОЛНЕН". Поэтому в следствии логики своей работы флеш память имеет невысокое число циклов перезаписи накопителя N, считаемый через параметр TWB - объём гарантировано записываемых и его объём S на накопитель по формуле (кстати, можно прочитать на сайте компании SunDisk в разделе FAQ, а ранее публиковалось Intel в документации по микросхеме Intel 28F008, а ещё ранее описывалось в ряде отечественных и зарубежных научных работ касавшихся физики работы электрически стираемых ПЗУ): N=TWB/S хотя число допустимых циклов перезаписи отдельной ячейки в зависимости от её структуры и технологии изготовления лежит в пределах от 105 до 108 циклов "чтение-стирание-запись". Но даже лучшие Flash накопители, точнее EEPROM по параметру "Число циклов чтение-стирание-запись" не сравнимы с магнитными у которых это число лежит в диапазоне 1024 - 1026 циклов перемагничивания до момента разрушения ячейки. В принципе, решения повышения надёжности магнитных накопителей известно ещё с начала 60-х годов - ЦМД (Цилиндрические Магнитные Домены) накопители. Там нет механики, зато есть две пока не преодолённые по ряду причин проблемы - сложность управления движем отдельного домена т.к. эти накопители этого типа работают по принципу FIFO - "Первый вошёл - Последний вышел", и невысокое быстродействие соизмеримое с обычными HDD, но при этом они обеспечивают плотность хранения данных соизмеримую с HDD и их можно уподобить 3D пластине HDD ЦМД в котором движутся не хаотично - это их естественное движение, а упорядоченно под воздействием управляющих полей. И управление движением ЦМД стало сложнейшей инженерной задачей - еще в экспериментальных образцах ЦМД накопителей начала 60-х использовались 30 - 40 фазные схемы управления движением ЦМД со сложной формой электродов. И сложность схем управления привела к замораживанию работ по промышленному внедрению ЦМД накопителей, хотя ещё на первом курсе на лекции "Введение в специальность" А.М. Ларионов показывал нам экспериментальные образцы ЦМД накопителей ёмкостью 10, 100 МБ и 50 ГБ имевшие тактовую частоту FIFO накопителя 100 КГц. И мы не могли поверить их размерам - 10/100 МБ накопители имели размер примерно в четверть спичечного коробка, а 50 ГБ был размером со спичечный коробок. И энергопотребление этих накопителей около 0,15 - 0,25 Вт не велико, они не чувствительны к пропаданию питания и малочувствительны к внешним магнитным полям т.к. используют материалы для перемагничивания которых нужны более сильные поля чем те, которые обычно нам встречаются. Зато там использовалась 360и фазная схема управления движением ЦМД. И это была советская разработка ёмкость которой - до 100 - 200 ГБ на корпус на тот момент во всём мире считалась теоретически не достижимой, а её самые ёмкие зарубежные аналоги имели ёмкость до 10 - 20 КБ. "Своё и в подмётки не годится Маде ин Заграница ибо не Заграница!" /Библия холуя Святой Заграницы, автор и год издания не известны./
---------- Жив курилка! (Р. Ролан, "Кола Брюньон") Xeon E5 2697v2/C602/128 GB PC3-14900L/GTX 1660 Ti, Xeon E5-2697v2/C602J/128 Gb PC3-14900L/GTX 1660 Ti |
|