Victor_VG
Tracker Mod | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору
contrafack
Тут да, разумнее 12 х 16 ГБ + 12 х 16 ГБ ставить т.к. у этого процессора три контроллера памяти по канала на контроллер с максимальным объёмом памяти до 768 Гб на процессор (масштабируется до 4-х ЦП в системе), а если мы используем модули по 16 ГБ, то они обычно имеют организацию 1R или 2R т.е. в итоге получим по 4R (4 ранка) на канал, а вот модули 64 Гб могут иметь организацию 4R или 8К, а это может потребовать снижения тактовой частоты ОЗУ.
Это решение позволит вам получить устойчивую работу ОЗУ на полной скорости 6 х DDR4-2666 (судя по доступным мне ТТХ этот процессор работает с памятью до DDR4-2666), а доступ программ к данным находящимся в модулях памяти на шине другого ЦП будет происходить по технологии NUMA несколько увеличит время задержки при обращении к её адресам, но позволит программа иметь больше памяти чем тот объём которым управляет ЦП на котором она считается.
Что касается конкретной марки модулей памяти, то посмотрите по таблицам Samsung DDR4 (PDF) - для сервера подойдут модули 386-й (LRDIMM, Load reduced DIMM) и 393-й (RDIMM, Registered DIMM) серий. Старайтесь выбирать модель с минимальным числом ранков (R) при одинаковой ёмкости и лучше пойти на несколько большие затраты, но поставить LRDIMM что обеспечит лучшую стабильность в работе машины.
И ещё это принципиально для LRDIMM - в каждом банке должны стоять одинаковые модули (у Samsung надо смотреть чтобы все элементы марки модуля были одинаковы т.к. в рамках одной модели например Samsung M386B4G70DM0-CMA могут выпускаться несколько вариантов с разными iMB, но одинаковыми микросхемами памяти - например M386B4G70DM0-CMA3 и M386B4G70DM0-CMA4 различаются только микросхемой iMB (17-й элемент маркировки):
Цитата: 0: Inphi iMB02-GS02A
1: IDT A2
2: Montage MB C0
3: Inphi iMB02-GS02B
4: Montage MB C1 |
) во всех каналах иначе из-за различий по управлению в iMB получим ошибки контроллера памяти и нестабильную работу ОС вплоть до паники ядра которую может вызвать просто разряд батарейки в беспроводной клавиатуре или мышке. Подходящие LRDIMM Samsung можно выбрать по каталогу на их сайте - Load reduced DIMM благо память сделанная Samsung самая беспроблемная в плане совместимости, да и достаточно быстрая в работе, хотя её разработчики специально не загоняют компоненты в предельные режимы для достижения бессмысленных "рекордов" .
У меня до сих пор лежит комплект 4 планки DDR3-1866R 4R по 32 Gb с которым Xeon E5-2697 v2 заводится в четырёх канальном режиме только если поставить частоту ОЗУ 1066 МГц т.к. у регистровой памяти буферизуются только линии адреса и управления, а линии данных подключены параллельно, зато у LRDIMM благодаря полной буферизации всех шин через микросхему iMB (Isolation Memory Buffer) буферизованы все линии - адреса, данных и управления, что приводит к снижению ёмкостной нагрузки на шину.
Например 32 Gb LRDIMM Samsung M386B4G70DM0-CMA3/-CMA4 имея внутреннюю организацию 4Gx72 / 4Rx8 (36 микросхем 2Gx4) для ЦП на шине "видится" как 2R модуль, что и позволяет ему работать на тактовой частоте 933 МГц т.е. 1866 МГЦ DDR в четырёхканальном режиме, в то время как аналогичная по ёмкости регистровая память выпускается только с организацией 4R или 8R, а значит её ёмкостная нагрузка на шине данных в два четыре раза выше и для неё приходится снижать тактовую частоту чтобы контроллер памяти ЦП успел перезарядить приведённую входную ёмкость Cx массива ячеек. Это вроде немного, десяток - другой пФ, но на высоких частотах "лишние"единицы пФ ёмкости приводят к заметному возрастанию тока нагрузки выходных каскадов.
И что интересно, так это то, что в документации на свои микросхемы Intel не указывает максимальное допустимое значение выходного тока их шинных буферов, а именно от него зависит время перезарядки входной ёмкости Cx модулей ОЗУ, и как следствие верхняя тактовая частота их работы.
И единственное что можно понять из их описания, это то, что выходной ток шинных буферов у серверных ЦП намного выше чем у их настольных вариантов т.к. если для настольных ЦП допустима установка 2х модулей с с суммарным числом ранков до 4R на канал, то для серверных указывается возможность установки до трёх модулей на канал, и например для моих ЦП способных адресовать до 768 ГБ ОЗУ это означает что такой объём памяти придётся набирать массивом их двенадцати LRDIMM ёмкостью по 64 Гб каждый.
Razborka2024
Так и для моих плат в спецификации нет ни слова что можно ставить память LRDIMM:
Цитата: Материнская плата Jingsha X79P3
Процессор : семейство Intel Xeon E5 1600/2600 v1/v2 LGA2011
Память : 4 слота DDR3 PC/REG/ECC 1066/1333/1600/1866 МГц, до 64 (1281) ГБ
Чипсет : Intel X79/C602
Диски : 2 * SATA 3.0 + 4 * SATA 2.0
Шина PCIe : 3 слота PCIe 16X, 1 слот PCIe 4X, 1 слот PCIe 1X
M.2 : 1 * NVME M.2 PCIe x4
Ethernet : 1 * 1G-BASE-TX Realtek RTL8111E
USB : 6 * USB 3.0 + 10 * USB 2.0
Ввод/вывод : 1 * RJ45
1 * АУДИО (7.1, Realtek ALC892)
1 * LAN - USB
2 * USB 2.0
4 * USB3.0
Питание : ATX 24 PIN + ATX 8 PIN
Размеры : 220 мм * 305 мм (CEB) |
1 - в заводском описании "до 64 ГЬ", но техподдержка говорит "До 128 Гб".
и более того, я уверен, что если бы поставил 64 Gb LRDIMM (Samsung их не делала), то машина и с ними бы заработала.
----------
Жив курилка! (Р. Ролан, "Кола Брюньон")
Xeon E5 2697v2/C602/128 GB PC3-14900L/GTX 1660 Ti, Xeon E5-2697v2/C602J/128 Gb PC3-14900L/GTX 1660 Ti |
|
Всего записей: 34750 | Зарегистр. 31-07-2002 | Отправлено: 16:04 16-12-2024 | Исправлено: Victor_VG, 16:43 16-12-2024 |
|
