kapitan1
Member | Редактировать | Профиль | Сообщение | ICQ | Цитировать | Сообщить модератору
DDR или RDRAM что лучше?
Вопрос требует некоторого пояснения.RDRAM. [q][/q]
К контроллеру памяти Rambus (Rambus Memory Controller, RMC) через Rambus ASIC Cell (RAC) могут быть подсоединены до четырех каналов Rambus (Rambus Channel).
В функции RAC входит синхронизация входящих в контроллер и исходящих из него сигналов. Канал Rambus — узкая шина всего из тридцати линий, в ней предусмотрены шестнадцать линий для передачи данных (плюс еще две линии для ECC), она поддерживает до 32 микросхем DRDRAM, или трех модулей RIMM (реально — до двух модулей). С обратной стороны канал Rambus терминируется серией сопротивлений. Каждая микросхема памяти DRDRAM независима, имеет шину данных, равную ширине канала — 16 бит. Канал синхронизируется с частотой от 267 до 533 МГц; за один такт происходит передача двух бит данных. Для хранения информации о параметрах чипов памяти на модуле имеется специальная микросхема SPD. Вот, собственно, и вся Direct Rambus DRAM. В принципе, канал Rambus — самодостаточная структура, и при желании можно разработать контроллер, поддерживающий более четырех каналов, проблема лишь в сложности и стоимости такого решения. Практически же были разработаны спецификации на контроллер RMC, работающий максимум с четырьмя каналамиУзкая высокочастотная шина обеспечивает отменный показатель «пропускная способность на вывод» (PBW), который у DRDRAM примерно вдвое выше, чем у DDR SDRAM. Это имеет особенно большое значение для многоканальных конфигураций, так как уменьшает число проводников, упрощает разводку сигнальных трасс и удешевляет системные платы. Скажем, для двухканальных чипсетов под Rambus и DDR ситуация такова: MCH (северный мост) чипсета i850E имеет 615 выводов, а у E7205 — уже 1004 вывода при почти идентичной производительности и функциональности
http://www.ferra.ru/online/system/25220/
На практике преимущество памяти RDRAM сводится к увеличению показателя «пропускная способность на вывод» (PBW). Для сравнения: материнская плата с чипсетом i850E и двумя модулями памяти по 256Мб 2x 400MHz имеет пропускную способность Maximum Bus Bandwidth : 3200MB/s .
Плата с двухканальным чипсетом nForse2 и двумя модулями памяти DDR333 256Mb при FSB=333MHz имеет аналогичный показатель равный 2800Mb/s.
На подходе модули памяти DDRII, которые сравняют преимушество RDRAM перед DDR.
Если принять во внимание стоимость одного модуля памяти,( а память RDRAM стоит начительно дороже) то перед Вами стоит непростая задача выбора.
Оглядываясь в прошлое,Февраль 1998 года. Компания Rambus объявляет о результатах двухлетнего сотрудничества с Intel — завершена разработка нового интерфейса памяти — Direct RDRAM. Питер Мак-Вильямс, ведущий специалист Intel по архитектуре платформ, вещает: «Это важная веха в переходе от сегодняшней PC100 SDRAM к Direct RDRAM в начале 1999 года». Джим Хэнди, руководитель и аналитик из Dataquest’s Memories Worldwide Service, еще более категоричен: «Мы видим начало новой эры — эры Rambus-PC .
Сейчас 2003 год и что-же? Где заявленная аналитиком из Dataquest’s эра Rambus-PC ?Доля памяти Rambus на рынке DRAM составляет около 3% и непрерывно уменьшается; Intel сконцентрировалась на DDR и уже больше года не анонсирует новых чипсетов с поддержкой памяти DRDRAM. Пока еще можно купить новую плату на i850E; память PC800 и PC1066 все еще присутствует в прайсах многих фирм. Но с каждым днем привлекательность этих решений падает; сборщики ПК стремительно сокращают ассортимент машин, оснащенных DRDRAM. Можно смело сделать вывод о кончине Direct Rambus (RDRAM) для рынка настольных PC.
Будушее однозначно за DDR и его продолжением DDRII. |
Всего записей: 223 | Зарегистр. 10-01-2003 | Отправлено: 16:48 25-06-2003 | Исправлено: kapitan1, 17:02 25-06-2003 |
|
