freedaw
Advanced Member | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору
scottman
Насчёт деградации кристалла ЦПУ - не знаю, описывается ли это где-то подробнее (специально не искал), так встречал пару раз упоминания об этом (возможно, такое не часто встречается).
Но, будучи знакомым с принципами строения и производства полупроводников, думаю, что такое вполне возможно.
В полупроводниках на основе КМОП структур основные токи и, соответственно, мощность потребляется в моменты переключения логического состояния элементарных ячеек (транзисторов) и очень сильно зависят от внутренних паразитных ёмкостей между элементами структур. А они, в свою очередь, зависят уже от механических и физических параметров (т.к. структуры получают методами легирования, напыления и т.д.), которые со временем "плывут" - например, толщина слоя диэлектрика n или р-кармана может уменьшиться за счёт электроэрозии, что приведёт к росту паразитной ёмкости.
Естественно, что совершенство технологии производства кристаллов как раз и заключается в том, чтобы максимально замедлить подобные процессы. Но, как известно, процент брака при производстве достаточно велик - это то, что отбраковывается сразу на стадии тестирования. Но ничто не мешает присутствию в кристалле незначительного скрытого дефекта, который развивается постепенно при последующей эксплуатации. В итоге может наступить полный отказ или некоторое изменение параметров чипа (как повезёт). Повышенные температуры и токовые нагрузки только ускоряют любые деструктивные процессы в кристалле.
Этот механизм известен давно и описывался ещё в советских книжках по надёжности полупроводников. Если учесть, что в современном ЦПУ десятки и сотни миллионов транзисторов, то увеличение потребляемой мощности со временем уже не кажется таким уж невероятным. Кстати, многие чипы AMD выходят с заблокированными ядрами или кешем именно по причине изначально повышенного энергопотребления, хотя являются вполне работоспособными (вот только долговременную надёжность их гарантировать нельзя).
|
