Digital Ray
Massive Member | Редактировать | Профиль | Сообщение | ICQ | Цитировать | Сообщить модератору euheny Цитата: однако будущее именно за MLC | я ни сколько не сомневаюсь просто раньше как-то не задумывался, флешка и флешка, а теперь дошла очередь и до этого разреза знаний, почитал заинтересовался, нашел инфы, стал думать... имхо, Samsung, Hynix, Toshiba, Intel и Micron -- вот стартовая линейка, и кто вырвется в перед будет зависеть от объема инвестиций в разработки и банального везения... . кстати, Цитата: Новый тип памяти на базе революционной технологии Freescale - MRAM (Magnetoresistive random access memory) - магниторезистивная память с произвольной выборкой. Память MRAM способна заменить как ОЗУ типа eSRAM, так и FLASH - в одном кристалле. http://kazus.ru/lenta/view/0_6441_0.html | |