DesertFox
Advanced Member | Редактировать | Профиль | Сообщение | ICQ | Цитировать | Сообщить модератору
Цитата: Проблема в том, что не можно. Я далеко не уверен, что CMOS память работает как обычная. Обычная память работает так заряд на конденсаторе = 1, конденсатор имеет ток утечки, занчит память необходимо считывать и записывать заново. Данные потеряются в двух случаях. 1) если ток утечки слишком велик - данные не доживут до регенерации. 2) если не происходит ргенерация отдельных ячеек - они тоже не живут долго. Теоретически, если нет никаких преобразований данных, то это должно быть заметно сравнением содержимого СMOS сразу после записи и спустя некоторое время - в результате выпадения единичек некоторые байты уменьшат своё значение, например было 10 (1010), а стало 2 (0010). Бредово... Да, а разве NU8 спустя те самые заветные минуты не ругается на порчу CMOS checksum? |