Столкнувшись с огромной неприятностью в лице токов утечки, Intel, судя по всему, бросила на решение этой проблемы все свои силы. Как результат, сегодня стало известно о разработке компанией 65 нм техпроцесса со сверхнизким энергопотреблением.
Как сообщает EETimes, новинка, известная сейчас под именем P1265 (восьмислойная архитектура, медные проводники, low-k диэлектрики, растянутый кремний), будет использоваться в чипах компании, рассчитанных, в частности, на карманные компьютеры и мобильные телефоны. Предполагается, что технология начнет широко использоваться лишь в 2007 году, однако, уже сейчас разработчики вовсю готовы восхвалять ее преимущество в лице сниженных на несколько порядков в сравнении с обычной 65 нм технологией токов утечки (с 100 нА/мкм до 0.01 нА/мкм). В настоящее время Intel уже удалось выпустить 50 Мб чип SDRAM, основанный на P1265.
К сожалению, доработка (в области подпорогового напряжения, сверхмалых переходов/ultra-shallow junction и подзатворного оксида), текущего 65 нм техпроцесса (P1264, представлен в 2003 году), путем которой и был получен P1265, прошла не совсем гладко. Добившись низкого энергопотребления и отсутствия проблем с токами утечки, Intel вынуждена была смириться с вдвое снизившейся производительностью транзисторов.
Таким образом, в настоящее время у Intel на руках уже есть две 65 нм технологии. Одна - быстрая и горячая, вторая - медленная, но чрезвычайно холодная. Впрочем, такое их описание - вещь без сомнения весьма условная... |
. 
