Victor_VG
Tracker Mod | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору
TheBarmaley
И не только силовая, но и аналоговая, а так же радиационно-стойкая электроника для которой чем меньше размеры элемента структуры полупроводникового прибора, тем выше его чувствительность к заряду проходящей через него частице, что может изменить его состояние. Например для ячейки динамической памяти в которой информация хранится в виде заряда запоминающего конденсатора внешняя заряженная частица имеющая энергию соизмеримую с энергией конденсатора проходя через него приведёт к искажению его заряда, а значит и хранимой информации.
По статистике необходимость в малом шаге межсоединений (норм техпроцесса) это примерно 1,3% - 1,8% всех изготавливаемых полупроводниковых приборов, а для большинства аналоговых, особенно сильноточных схем достаточно техпроцессов 180 - 350 нм, для чипсетов до сих пор используются техпроцессы 45 - 65 нм, для микропроцессоров типа i960 хватит и 90 нм, а для радиационно-стойких микросхем 350 нм вообще оптимальный вариант.
А необходимые геометрические размеры полупроводниковой структуры и нормы техпроцесса вообще никак не связаны т.к. определяются протекающими через неё токами и законами квантовой физики.
Но! Если пишущая братия говорит что чем меньше нормы техпроцесса, тем больше отдельных элементов можно разместить на кристалле - то ВЕРИТЬ! ибо только они, а не люди занимающиеся разработкой и изготовлением полупроводниковых приборов точно знают что для этого нужно! Так как GPU сам себя программирует читая мысли игромана.
----------
Жив курилка! (Р. Ролан, "Кола Брюньон")
Xeon E5 2697v2/C602/128 GB PC3-14900L/GTX 1660 Ti, Xeon E5-2697v2/C602J/128 Gb PC3-14900L/GTX 1660 Ti |
|
Всего записей: 33897 | Зарегистр. 31-07-2002 | Отправлено: 08:50 17-06-2024 | Исправлено: Victor_VG, 08:51 17-06-2024 |
|
