Victor_VG
Tracker Mod | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору
WildGoblin
Lity
Это и есть проявление явления утечки заряда. Физически ячейка для кремния это довольно простая пространственная структура - слой полупроводника с p- или n- типом проводимости имеющий омические контакты на торцах - канал, изолированный слоем SiO2, над ним слой электрета - SiN который так же изолирован SiO2 на который нанесён слой металла - изолированный затвор. В ряде конструкций транзистора есть p-n переход с обратной стороны канала который либо имеет свой омический контакт вывода, либо соединён с контактом истока - подложка, второй затвор управляющий начальной проводимостью канала при нулевом напряжении на изолированном основном затворе.
На подложку всегда подаётся обратное напряжение смещения которое создаёт в канале транзистора электрическое поле снижающее его сопротивление относительно начальной величины - приоткрывает транзистор чтобы тот вышел на линейный участок своей вольт-амперной характеристики (ВАХ) где его выходной ток линейно зависит от напряжения на затворе.
Если подложки нет или она не подключена - "плавающая подложка", то на начальном участке ВАХ ток через канал имеет похожую на логарифмическую зависимость от напряжения на затворе до точки перелома ВАХ, после её пересечения зависимость становится почти линейной до второй точки перелома расположенной в области максимальных токов где зависимость "ток - напряжение" приобретает экспоненциальный характер - это область пробоя.
При этом общая форма ВАХ сходна как для биполярных, так и для полевых транзисторов, различие в том, что полевой транзистор управляется напряжением на затворе и усиливает напряжение, а биполярный током базы и усиливает ток.
А вот SiN обладает интересным свойством - если поместить его на время во внешнее электрическое поле, то его заряды упорядочиваются вдоль его силовых линий - поляризуются и после снятия внешнего поля их упорядоченность сохраняется достаточно долго и поле создаваемое электретом сохраняет его характеристики. Но со временем заряды теряют упорядоченность и поле вокруг электрета исчезает. Процесс упорядочивания зарядов в электрете не мгновенный, но достаточно короткий во времени чтобы обеспечить малое время записи ячейки. С момента начала записи энтропийные процессы в электрете разрушают упорядоченность его зарядов, но их скорость в нём намного ниже скорости процесса упорядоченности, но достаточна для того, чтобы вынудить нас периодически перезаписывать ячейку из-за утечки заряда.
Так что никаких "секретов" в работе EEPROM нет, просто в большинстве случаев мы не задумывается о физике её работы принимая её свойства как нечто неизменное, а стоит понять что происходит и большая часть вопросов отпадёт сама собой...
----------
Жив курилка! (Р. Ролан, "Кола Брюньон")
Xeon E5 2697v2/C602/128 GB PC3-14900L/GTX 1660 Ti, Xeon E5-2697v2/C602J/128 Gb PC3-14900L/GTX 1660 Ti |
|
