Victor_VG

Tracker Mod | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору GUIDO_COSTA Ты ошибаешься вот на чём - разброс параметров годных кристаллов с одной пластины может достигать сотен процентов что обусловлено воздействием случайных факторов при её изготовлении. Использовавшиеся тридцать - сорок лет тому назад технологии не позволяли нам грубо говоря поставить нужный атом в нужную точку кристаллической решётки и это приводило к значительному разбросу параметров кристаллов. Но даже современные технологии не позволяют создать т.н. "идеальный кристалл" т.е. кристалл у которого на протяжении всего периода производства параметры любого произвольно взятого с конвейера экземпляра будут абсолютно одинаковы и точно соответствовать спецификации. И когда, и вообще, достигнем ли мы такой стадии развития техники сегодня никто не знает. Да, стремимся, но пока у реальных изделий есть, и ещё долго будет, разброс параметров который приходится учитывать при их использовании, но если делать единичное изделие на конкретных экземплярах деталей производственный разброс параметров можно игнорировать. Можно игнорировать всё, в том числе реальность, но последствия сего непредсказуемы... Цитата:| Вот, к примеру, берем два транзистора, и смотрим параметр коэффициента усиления по току (hFE), КТ814Б – 350, КТ815Б – 35,3. | А куда они денутся если их режимы работы жёстко заданы внешними элементами? Тут разве что входной ток поменяется. Но, коли кто-то закладывает в схему конкретные максимальные цифры - ну, его трудности. Пусть сидит и как в старом анекдоте из вагона кильки глаза выковыривает - как раз на баночку чёрной икры и наковыряет.
---------- Жив курилка! (Р. Ролан, "Кола Брюньон") Xeon E5 2697v2/C602/128 GB PC3-14900L/GTX 1660 Ti, Xeon E5-2697v2/C602J/128 Gb PC3-14900L/GTX 1660 Ti |
|